命题1 设 A 为 Noether 环
(1)如果 A ↠ B 是满的环同态,则 [公式] 为 Noether 环;
B同构于A的一个商环
(2)设S⊂A 为乘性子集,则分式环 S⁻¹A 是 Noether 环;特别地,局部化是保持了 Noether 的性质;
Pf. 只需注意到 S⁻¹A 的任一理想均有形式 S⁻¹ l ,其中 l ⊂ A 为 A 的理想
(3)设B 为有限 A 代数,即 B 作为 A– 模是有限生成的,则 B 为 Noether 环;
Pf. 首先 B 是 Noether A– 模,注意到 B 的任一理想(B– 子模)同时也是 A– 子模,因此作为 A– 模是有限生成的,进而作为 B– 模也是有限生成的
我们知道,A 上的除了有有限代数(finite),还有较弱一点的有限生成代数(finite type),即作为环是 A– 有限生成的,希尔伯特基定理实际上就是在证明有限生成代数也保持了环的 Noether 性
定理2 (Hilbert's basis theorem)设 A 为 Noether 环,则对任意的 n ≥ 1 , A 上的 n 元多项式环 A[X₁,. . .,Xₙ] 也是 Noether 环
Pf 我们采用书上的证明方法
根据自然的环同构 A[X₁,. . .,Xₙ] ≃A[X₁,. . .,Xₙ₋₁] [Xₙ],可将问题约化为 n=1 的情形;只需对 Noether 环 A 证明,多项式环 A[Ⅹ] 是 Noether 环即可;
任取理想 l ⊂ A[X] ,我们期望构造有限个元素 f₁,. . .,fₘ ∈ A[X] 使得 l=(f₁,. . .,fₘ)
ₙ
对任意的 f=∑ αₖ Xᵏ ∈ A[X],
ₖ₌₀
αₙ ≠ 0 ,定义 f 的领导系数为 in(f):=αₙ.
下面来归纳构造;首先选取 f₁∈l\{0} ,使得次数 deg fₖ₊₁ 最小;现假设已经选取 f₁,· · ·,fₖ∈l ,如果有 l=(f₁,. . .,fₘ) 则构造终止,否则选取 fₖ₊₁ ∈ l 使得:
(1) fₖ₊₁ ∈ l\(f₁,. . .,fₖ) ;
(2)次数 deg fₖ₊₁ 在满足条件(1)的前提下最小;
现在证明上述构造的过程在有限步内必终止
设 αᵢ:=in(fᵢ) ,由 A 为 Noether 环可知,理想升链
(α₁) ⊂ (α₁,α₂) ⊂ · · ·
由此可得理想 (α₁,α₂,· · ·,αₖ,· · ·) 有一组生成元 α₁,· · ·,αₘ ;假设上述的构造可以进行到第 m+1 步,则有表达式
ₘ
in(fₘ₊₁)=αₘ₊₁=∑ uᵢαᵢ,
ᵢ₌₁
其中 u₁,· · ·,uₘ∈A ;根据次数的最小性可知,对 i=1,· · ·,m 皆有
dᵢ:=deg fₘ₊₁ – deg fᵢ ≥ 0
于是
ₘ
fₘ₊₁ – ∑ uᵢfᵢXᵈⁱ∈l\(f₁,· · ·,fₘ)
ᵢ₌₁
并且其次数严格小于 deg fₘ₊₁ ,这与 fₘ₊₁ 次数的最小性矛盾
这就完成了希尔伯特基定理的证明
对于形式幂级数环,也有类似的结论成立
定理3 设 A 为 Noether 环,则对任意的 n ≥ 1 , A 上的 n 元形式幂级数环 A[[X₁,· · ·,Xₙ]] 也是 Noether 环
Pf.根据自然的环同构 A[[X₁,· · ·,Xₙ]] ≃ A [[X₁,· · ·,Xₙ₋₁]] [[Xₙ]],可将问题约化为 n=1 的情形;只需对 Noether 环 A 证明,形式幂级数环 A[[X]] 是 Noether 环即可;
证明思路与希尔伯特基定理的思路完全类似,不同的是此处考虑形式幂级数的最低次项;
对任一 f=∑αₙXⁿ∈A[[A]] ,其中 αₘ ≠ 0 ,定义
υₓ(f):=αₘ=min{n|αₙ ≠ 0},
然后将定理2证明过程中的领导系数 in(f) 定义改为 in(f):=υₓ(f)=αₘ,并将所有的 deg 替换为 υₓ 即可;此后的 f₁,· · ·,fₘ 构造是完全相同的(仍取 υₓ 最小)
学习了环的完备化之后我们将看到,定理3无非是完备化和 Noether 环的相容性
希尔伯特基定理相当重要,后面我们还会反复遇见
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